Dieser umfassende Text bietet einen Überblick über monolithische integrierte Hochgeschwindigkeits- und Hochfrequenzschaltungen für drahtlose und breitbandige Systeme von 2 GHz bis 200 GHz auf Transistorebene und behandelt Hochgeschwindigkeits-HF-, Millimeterwellen- und Glasfaserschaltungen unter Verwendung von nanoskaligen CMOS-, SiGe-, BiCMOS- und III-V-Technologien. Schritt-für-Schritt-Entwurfsmethoden, Probleme am Ende des Kapitels sowie praktische Simulations- und Entwurfsprojekte werden bereitgestellt, was dies zu einer idealen Ressource für ältere Bachelor- und Masterkurse im Schaltungsdesign macht. Mit einem Schwerpunkt auf der Interaktion und Optimierung der Geräte-Schaltungstopologie vermittelt es Schaltungsentwicklern und Studenten gleichermaßen ein tiefgreifendes Verständnis der Gerätestrukturen und Prozessbeschränkungen, die sich auf die Schaltungsleistung auswirken. Sprache: Englisch