IGBT - Funktion: Ein Bipolartransistor auf Siliziumbasis mit isoliertem Gate, der als hocheffizienter Schalter in der Leistungselektronik verwendet wird. Es bietet schnelles Schalten mit hoher Strom- und Spannungsbelastbarkeit durch gategesteuerte Steuerung. - Hauptvorteile: Geringe Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand, verbesserte Schaltleistung für die PWM-Steuerung, kompakte Formfaktoren, die ein effektives Wärmemanagement unterstützen, zuverlässiger Betrieb über einen weiten Temperaturbereich mit ordnungsgemäßer Kühlung. - Kompatibilität und Verpackung: Erhältlich in den gängigen Power-Package-Ausführungen; Ausgelegt für die Kompatibilität mit Standard-Gate-Drive-Signalen und Steuerkreisen; Geeignet für Wechselrichtermodule, Motorantriebe, USV-Systeme und Solarwechselrichter. - Größe und Materialien: Silizium-IGBT-Bauelemente, die in Kunststoff- oder Keramikgehäusen untergebracht sind; Vorgesehen für den Einbau auf Kühlkörpern oder in modularen Leistungselektronik-Baugruppen. - Leistung: Hohe Strombelastbarkeit, schnelles Schalten, robuste thermische Leistung, zuverlässig bei thermischen Zyklen; Die Torisolierung unterstützt einen stabilen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. - Anwendungsszenarien: - Solarwechselrichtersysteme für die Umwandlung von Gleichstrom- in Wechselstrom. - Drehstrommotorantriebe in Industrieanlagen. - Unterbrechungsfreie Stromversorgungen oder Schweißgeräte, die zuverlässiges Schalten erfordern.