In dieser unschätzbaren Ressource für Doktoranden und praktizierende Fachleute geben Tu und Liu einen umfassenden Bericht über die Elektromigration und geben einen praktischen Leitfaden, wie ihre Auswirkungen auf mikroelektronische Geräte gehandhabt werden können, insbesondere auf neuere Geräte, die 3D-Architekturen verwenden. Im Zeitalter von Big Data und künstlicher Intelligenz müssen mikroelektronische Geräte der nächsten Generation für Verbraucher kleiner sein, weniger Strom verbrauchen, weniger Kosten verursachen und vor allem eine höhere Funktionalität und Zuverlässigkeit aufweisen als je zuvor. Mit der Miniaturisierung steigt jedoch die durchschnittliche Stromdichte und damit auch die Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls der Elektromigration. Dieses Buch behandelt alle kritischen Elemente der Elektromigration, einschließlich der grundlegenden Theorie, verschiedener Fehlermodi, die durch Elektromigrationsmethoden induziert werden, um Ausfälle zu verhindern, und Gleichungen zur Vorhersage der mittleren Zeit bis zum Ausfall. Darüber hinaus werden Effekte wie Spannung, Joule, Heizstrom, Engstand und Oxidation auf die Elektromigration behandelt und die neuen und modifizierten Gleichungen für die mittlere Zeit bis zum Ausfall, die auf der Produktion niedriger Entropie basieren, angegeben. Die Leser werden in der Lage sein, diese Informationen auf das Design und die Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen anzuwenden, um das Risiko eines durch Elektromigration induzierten Versagens bei mikroelektronischen Bauelementen zu minimieren. Dieses Buch ist unverzichtbar für jeden, der diese kritischen Elemente verstehen und ihre Auswirkungen minimieren möchte. Es ist besonders wertvoll sowohl für Doktoranden der Elektrotechnik und Materialwissenschaften als auch für Ingenieure, die in der Halbleiter- und elektronischen Aufbau- und Verbindungstechnik tätig sind. . Sprache: Englisch