Dies ist das erste Buch, das die vielen Facetten der Dotierung in Verbindungshalbleitern ausführlich beschreibt. Die Grundlagen der Materialphysik werden ebenso berücksichtigt wie die technologischen Aspekte der Dotierung. Der Autor beschreibt detailliert die verschiedenen Techniken, einschließlich der Dotierung während des epitaktischen Wachstums, der Dotierung durch Implantation und der Dotierung durch Diffusion. Die wichtigsten Eigenschaften aller Dotierstoffe, die in IIIâV-Halbleitern verwendet wurden, werden diskutiert. Darüber hinaus werden allgemeine Eigenschaften von Dotierstoffen analysiert, einschließlich der elektrischen Aktivität, der Sättigung, der Amphotrizität, der Autokompensation und der maximal erreichbaren Dotierstoffkonzentration. Auch das aktuelle Thema der hochdotierten Halbleiter wird diskutiert. Technologisch bedeutsame Tiefenebenen werden zusammengefasst. Die Eigenschaften tiefer Ebenen werden phänomenologisch dargestellt. Das letzte Kapitel widmet sich der experimentellen Charakterisierung von Verunreinigungen. Sprache: Englisch