Transistoren

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17 Stück FDV304P SOT233 P-Kanal-MOSFET-Transistoren, geringe Verlustleistung, hohe Schaltgeschwindigkeit

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SKM150GAL12T4 IGBT-Leistungsmodul, isoliertes Gate-Bipolartransistormodul für industrielle Wechselrichter und Leistungssteuerung

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10 Stück RJP4301 N-Kanal-IGBT-Transistor 430 V 200 A bis 220 V, Flüssigkristall-Plasmaröhre

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